Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDD5614P
Herstellerteilenummer | FDD5614P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDD5614P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDD5614P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 759pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD5614P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDD5614P-FT |
ZVN4306AVSTOA
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTZ
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVNL110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVNL120ASTOA
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel