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Herstellerteilenummer | FDD5N50NZFTM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDD5N50NZFTM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UniFET-II™ |
FDD5N50NZFTM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 1.85A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD5N50NZFTM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDD5N50NZFTM-FT |
IXFY26N30X3
IXYS
IXTY1R6N100D2
IXYS
IXTY1R6N50D2
IXYS
IXFY36N20X3
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IXTY44N10T
IXYS
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IRFR6215PBF
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IXFY4N60P3
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IRLR024NPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
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LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
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