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ON Semiconductor FDD6512A
- MFG-Teilenummer
- FDD6512A
- verfügbare Anzahl
- 93900 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDD6512A.pdf
FDD6512A Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDD6512A |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDD6512A |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDD6512A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.7A (Ta), 36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1082pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 43W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDD6512A Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDD6512A-FT |
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