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FDD7N25LZTM Image

ON Semiconductor FDD7N25LZTM

MFG-Teilenummer
FDD7N25LZTM
verfügbare Anzahl
44350 Stücke
Referenzpreis
USD 0.373264
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
UniFET™ MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDD7N25LZTM Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDD7N25LZTM
Zukünftige Teilenummer FT-FDD7N25LZTM
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie UniFET™
FDD7N25LZTM Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 635pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 56W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-Pak
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD7N25LZTM Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDD7N25LZTM-FT

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