Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDD86110
Herstellerteilenummer | FDD86110 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDD86110 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDD86110 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12.5A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2265pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 127W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86110 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDD86110-FT |
TK7S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK90S06N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLR2905ZPBF
Infineon Technologies
AUIRFR5410
Infineon Technologies
IXFY26N30X3
IXYS
IXTY1R6N100D2
IXYS
IXTY1R6N50D2
IXYS
IXFY36N20X3
IXYS
IXTY44N10T
IXYS
IRLR3705ZPBF
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel