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ON Semiconductor FDD8N50NZTM

MFG-Teilenummer
FDD8N50NZTM
verfügbare Anzahl
40230 Stücke
Referenzpreis
USD 0.443648
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
UniFET-II™ MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDD8N50NZTM Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDD8N50NZTM
Zukünftige Teilenummer FT-FDD8N50NZTM
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie UniFET-II™
FDD8N50NZTM Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DPAK
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD8N50NZTM Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDD8N50NZTM-FT

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