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ON Semiconductor FDFM2N111
- MFG-Teilenummer
- FDFM2N111
- verfügbare Anzahl
- 29860 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.319824
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDFM2N111.pdf
FDFM2N111 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDFM2N111 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDFM2N111 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDFM2N111 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 273pF @ 10V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.7W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | MicroFET 3x3mm |
| Paket / fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDFM2N111 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDFM2N111-FT |
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