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ON Semiconductor FDFMA2P029Z-F106

Name: FDFMA2P029Z-F106
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMA2P029Z-F106
Price: 0.311696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (335 reviews)

MFG-Teilenummer: FDFMA2P029Z-F106

verfügbare Anzahl: 83050 Stücke

Referenzpreis: USD 0.311696

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDFMA2P029Z-F106.pdf

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FDFMA2P029Z-F106 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDFMA2P029Z-F106
Zukünftige Teilenummer	FT-FDFMA2P029Z-F106
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDFMA2P029Z-F106 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.4W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	6-MicroFET (2x2)
Paket / fall	6-VDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA2P029Z-F106 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDFMA2P029Z-F106-FT

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