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FDFMA3N109 Image

ON Semiconductor FDFMA3N109

MFG-Teilenummer
FDFMA3N109
verfügbare Anzahl
50750 Stücke
Referenzpreis
USD 0.252392
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDFMA3N109 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDFMA3N109
Zukünftige Teilenummer FT-FDFMA3N109
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDFMA3N109 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Paket / fall 6-VDFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA3N109 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDFMA3N109-FT

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