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ON Semiconductor FDFMA3P029Z
- MFG-Teilenummer
- FDFMA3P029Z
- verfügbare Anzahl
- 38900 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDFMA3P029Z.pdf
FDFMA3P029Z Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDFMA3P029Z |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDFMA3P029Z |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDFMA3P029Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Paket / fall | 6-VDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDFMA3P029Z Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDFMA3P029Z-FT |
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