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ON Semiconductor FDFME3N311ZT
- MFG-Teilenummer
- FDFME3N311ZT
- verfügbare Anzahl
- 11530 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDFME3N311ZT.pdf
FDFME3N311ZT Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDFME3N311ZT |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDFME3N311ZT |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDFME3N311ZT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 15V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Paket / fall | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDFME3N311ZT Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDFME3N311ZT-FT |
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