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FDG312P Image

ON Semiconductor FDG312P

MFG-Teilenummer
FDG312P
verfügbare Anzahl
89380 Stücke
Referenzpreis
USD 0.125488
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FDG312P.pdf
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FDG312P Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDG312P
Zukünftige Teilenummer FT-FDG312P
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDG312P Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Paket / fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG312P Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDG312P-FT

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