Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDG410NZ
Herstellerteilenummer | FDG410NZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDG410NZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDG410NZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 420mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG410NZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDG410NZ-FT |
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA08N50C3XKSA1
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XCV1000E-8FG900C
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
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M1AGL250V5-VQG100
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