Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDH055N15A
Herstellerteilenummer | FDH055N15A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDH055N15A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDH055N15A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 158A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 120A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9445pF @ 75V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 429W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH055N15A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDH055N15A-FT |
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
Global Power Technologies Group
GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
GP1M007A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
Intel