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ON Semiconductor FDI150N10

MFG-Teilenummer
FDI150N10
verfügbare Anzahl
51710 Stücke
Referenzpreis
USD 1.808
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDI150N10 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDI150N10
Zukünftige Teilenummer FT-FDI150N10
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDI150N10 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 57A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4760pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDI150N10 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDI150N10-FT

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