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ON Semiconductor FDMA86108LZ

Name: FDMA86108LZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMA86108LZ
Price: 0.317216 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (485 reviews)

MFG-Teilenummer: FDMA86108LZ

verfügbare Anzahl: 90320 Stücke

Referenzpreis: USD 0.317216

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDMA86108LZ.pdf

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FDMA86108LZ Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDMA86108LZ
Zukünftige Teilenummer	FT-FDMA86108LZ
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDMA86108LZ Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	243 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	163pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.4W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	6-MicroFET (2x2)
Paket / fall	6-VDFN Exposed Pad
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMA86108LZ Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDMA86108LZ-FT

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