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Herstellerteilenummer | FDN359BN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDN359BN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDN359BN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN359BN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDN359BN-FT |
2SK1828TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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