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ON Semiconductor FDP027N08B-F102
- MFG-Teilenummer
- FDP027N08B-F102
- verfügbare Anzahl
- 24780 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.856
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDP027N08B-F102.pdf
FDP027N08B-F102 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDP027N08B-F102 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDP027N08B-F102 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDP027N08B-F102 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 246W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Paket / fall | TO-220-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDP027N08B-F102 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDP027N08B-F102-FT |
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