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ON Semiconductor FDP038AN06A0-F102

Name: FDP038AN06A0-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP038AN06A0-F102
Price: 1.994648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (730 reviews)

MFG-Teilenummer: FDP038AN06A0-F102

verfügbare Anzahl: 31740 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDP038AN06A0-F102.pdf

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FDP038AN06A0-F102 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDP038AN06A0-F102
Zukünftige Teilenummer	FT-FDP038AN06A0-F102
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
FDP038AN06A0-F102 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6400pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	310W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP038AN06A0-F102 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDP038AN06A0-F102-FT

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