Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDP085N10A-F102
Herstellerteilenummer | FDP085N10A-F102 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDP085N10A-F102 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDP085N10A-F102 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 96A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 96A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2695pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 188W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP085N10A-F102 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDP085N10A-F102-FT |
FQPF2N40
ON Semiconductor
FQPF2N50
ON Semiconductor
FQPF2N60
ON Semiconductor
FQPF2N90
ON Semiconductor
FQPF2NA90
ON Semiconductor
FQPF2P25
ON Semiconductor
FQPF2P40
ON Semiconductor
FQPF30N06
ON Semiconductor
FQPF32N12V2
ON Semiconductor
FQPF33N10
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel