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ON Semiconductor FDP10N60NZ

MFG-Teilenummer
FDP10N60NZ
verfügbare Anzahl
60400 Stücke
Referenzpreis
USD 1.688
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
UniFET-II™ MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDP10N60NZ Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDP10N60NZ
Zukünftige Teilenummer FT-FDP10N60NZ
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie UniFET-II™
FDP10N60NZ Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1475pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 185W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP10N60NZ Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDP10N60NZ-FT

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