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ON Semiconductor FDP10N60NZ
- MFG-Teilenummer
- FDP10N60NZ
- verfügbare Anzahl
- 60400 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.688
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- UniFET-II™ MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDP10N60NZ.pdf
FDP10N60NZ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDP10N60NZ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDP10N60NZ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | UniFET-II™ |
| FDP10N60NZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1475pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 185W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Paket / fall | TO-220-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDP10N60NZ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDP10N60NZ-FT |
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