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Herstellerteilenummer | FDP2D3N10C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDP2D3N10C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDP2D3N10C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 222A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11180pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 214W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP2D3N10C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDP2D3N10C-FT |
IXFH80N65X2-4
IXYS
IXFK32N100X
IXYS
IXFK52N100X
IXYS
IXFN52N100X
IXYS
IXFN70N100X
IXYS
IXFT150N17T2
IXYS
IXFT26N100XHV
IXYS
IXFT32N100XHV
IXYS
IXFT60N65X2HV
IXYS
IXFT80N65X2HV
IXYS
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel