Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDP51N25
Herstellerteilenummer | FDP51N25 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDP51N25 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UniFET™ |
FDP51N25 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 51A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3410pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 320W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP51N25 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDP51N25-FT |
FQPF5N50
ON Semiconductor
FQPF5N50C
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A42MX24-3PQ208
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5SGXMA9N3F45I3N
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XCS40-4BG256C
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XC6SLX16-3CSG324C
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APA750-FGG676I
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LFXP2-8E-6FTN256I
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LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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