Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDP8870-F085
Herstellerteilenummer | FDP8870-F085 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDP8870-F085 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDP8870-F085 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A (Ta), 156A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 160W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP8870-F085 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDP8870-F085-FT |
FQP19N20
ON Semiconductor
FQP17P10
ON Semiconductor
FDP33N25
ON Semiconductor
HUF75542P3
ON Semiconductor
FQP50N06
ON Semiconductor
FQP11N40C
ON Semiconductor
FDP3651U
ON Semiconductor
FDP3652
ON Semiconductor
FQP7N80C
ON Semiconductor
FQP3P20
ON Semiconductor