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FDS6612A Image

ON Semiconductor FDS6612A

MFG-Teilenummer
FDS6612A
verfügbare Anzahl
65500 Stücke
Referenzpreis
USD 0.26448
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FDS6612A.pdf
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FDS6612A Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDS6612A
Zukünftige Teilenummer FT-FDS6612A
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDS6612A Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 8.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SOIC
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDS6612A Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDS6612A-FT

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