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ON Semiconductor FDT86113LZ
- MFG-Teilenummer
- FDT86113LZ
- verfügbare Anzahl
- 39150 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.2552
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FDT86113LZ.pdf
FDT86113LZ Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FDT86113LZ |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FDT86113LZ |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | PowerTrench® |
| FDT86113LZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDT86113LZ Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FDT86113LZ-FT |
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