Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / FEP16BT-5001HE3/45
Herstellerteilenummer | FEP16BT-5001HE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FEP16BT-5001HE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FEP16BT-5001HE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16BT-5001HE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FEP16BT-5001HE3/45-FT |
V20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M100M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M100M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel