Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / FEP16GT
Herstellerteilenummer | FEP16GT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FEP16GT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FEP16GT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16GT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FEP16GT-FT |
BAW56SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAW56SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAW56SH6727XTSA1
Infineon Technologies
BAT 64-04T E6327
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BAV 70T E6327
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BAV 99T E6327
Infineon Technologies
BAV 99T E6433
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BAW 56T E6327
Infineon Technologies
GDP24D060B
Global Power Technologies Group
GDP30D120B
Global Power Technologies Group
XC6SLX150T-3FGG676C
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LFE2M70SE-6F1152I
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LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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