Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / FEP16JT-5410HE3/45
Herstellerteilenummer | FEP16JT-5410HE3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FEP16JT-5410HE3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FEP16JT-5410HE3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16JT-5410HE3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FEP16JT-5410HE3/45-FT |
VT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT30L60C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel