Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / FEPB6DT-E3/45
Herstellerteilenummer | FEPB6DT-E3/45 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FEPB6DT-E3/45 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FEPB6DT-E3/45 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB6DT-E3/45 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FEPB6DT-E3/45-FT |
30CTH02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel