Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FESB16FTHE3/81
Herstellerteilenummer | FESB16FTHE3/81 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FESB16FTHE3/81 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FESB16FTHE3/81 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 16A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 300V |
Kapazität @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16FTHE3/81 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FESB16FTHE3/81-FT |
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel