Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FESB16GT-E3/81
Herstellerteilenummer | FESB16GT-E3/81 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FESB16GT-E3/81 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FESB16GT-E3/81 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 16A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 16A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16GT-E3/81 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FESB16GT-E3/81-FT |
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-P-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N914TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel