Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FF600R12ME4AB11BOSA1
Herstellerteilenummer | FF600R12ME4AB11BOSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FF600R12ME4AB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FF600R12ME4AB11BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | 2 Independent |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Leistung max | 3350W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 3mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4AB11BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FF600R12ME4AB11BOSA1-FT |
FD600R12KF4NOSA1
Infineon Technologies
FD800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KF2CKNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KL2CKB5NOSA1
Infineon Technologies
FD800R45KL3KB5NPSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF100R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17IP5BPSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation