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Herstellerteilenummer | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | 2 Independent |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1700V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Leistung max | 4150W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
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FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
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FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL010S-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSED6K2F40C2N
Intel
APA600-FGG676
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation