Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FF650R17IE4DB2BOSA1
Herstellerteilenummer | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | 2 Independent |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1700V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | - |
Leistung max | 4150W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200FC484-2N
Intel
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
A42MX16-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780I7N
Intel
EP1K50QC208-1N
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel