Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FF650R17IE4DPB2BOSA1
Herstellerteilenummer | FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | 2 Independent |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1700V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 650A |
Leistung max | - |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FF650R17IE4DPB2BOSA1-FT |
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
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FF300R12KT4HOSA1
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FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
EP2C8T144I8N
Intel
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-4F484I
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5CEFA9F23C7N
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10AX115U4F45I3LG
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EP2SGX130GF40C5NES
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EP20K100EFC324-2N
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