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Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1

Name: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF8MR12W2M1B11BOMA1
Price: 196.344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (727 reviews)

MFG-Teilenummer: FF8MR12W2M1B11BOMA1

verfügbare Anzahl: 56850 Stücke

Referenzpreis: USD 196.344

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 150A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FF8MR12W2M1B11BOMA1.pdf

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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-FF8MR12W2M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolSiC™
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	150A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	372nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 800V
Leistung max	20mW (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	Module
Supplier Device Package	AG-EASY2BM-2
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FF8MR12W2M1B11BOMA1-FT

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