Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FFSH20120ADN-F085
Herstellerteilenummer | FFSH20120ADN-F085 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FFSH20120ADN-F085 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
FFSH20120ADN-F085 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 15A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 612pF @ 1V, 100kHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFSH20120ADN-F085 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FFSH20120ADN-F085-FT |
DSF10TB-BT
ON Semiconductor
DSF10TC
ON Semiconductor
DSF10TC-AT1
ON Semiconductor
DSF10TC-BT
ON Semiconductor
MBR1100
ON Semiconductor
MBR1100RL
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MBR150
ON Semiconductor
MBR150RL
ON Semiconductor
MBR160
ON Semiconductor
MBR160RL
ON Semiconductor
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel