Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FFSH20120A
Herstellerteilenummer | FFSH20120A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FFSH20120A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FFSH20120A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 20A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 1220pF @ 1V, 100KHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-2 |
Supplier Device Package | TO-247-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFSH20120A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FFSH20120A-FT |
1N4595R
GeneSiC Semiconductor
150KR40A
GeneSiC Semiconductor
S150QR
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FR40MR05
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FR20GR02
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S40KR
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1N3210
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A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel