Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / FFSH20120A
Herstellerteilenummer | FFSH20120A |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FFSH20120A |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FFSH20120A Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 20A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 1220pF @ 1V, 100KHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-247-2 |
Supplier Device Package | TO-247-2 |
Betriebstemperatur - Übergang | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FFSH20120A Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FFSH20120A-FT |
1N4595R
GeneSiC Semiconductor
150KR40A
GeneSiC Semiconductor
S150QR
GeneSiC Semiconductor
FR40MR05
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FR20GR02
GeneSiC Semiconductor
FR40KR05
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S40B
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S40KR
GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC Semiconductor
1N3210
GeneSiC Semiconductor
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel