Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / FGB30N6S2DT
Herstellerteilenummer | FGB30N6S2DT |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FGB30N6S2DT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FGB30N6S2DT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 45A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 108A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Leistung max | 167W |
Energie wechseln | 55µJ (on), 100µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 23nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 6ns/40ns |
Testbedingung | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 46ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGB30N6S2DT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FGB30N6S2DT-FT |
SGS13N60UFDTU
ON Semiconductor
SGS23N60UFDTU
ON Semiconductor
SGS5N150UFTU
ON Semiconductor
SGS5N60RUFDTU
ON Semiconductor
SGS6N60UFDTU
ON Semiconductor
SGS6N60UFTU
ON Semiconductor
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor
FGP5N60LS
ON Semiconductor
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor
HGTP3N60A4
ON Semiconductor
A54SX32A-1TQG144M
Microsemi Corporation
LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
Intel
EP3C16E144C7
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
EP4SE530H40C2
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXMA4K3F35I3N
Intel