Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / FGB30N6S2D
Herstellerteilenummer | FGB30N6S2D |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FGB30N6S2D |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FGB30N6S2D Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 45A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 108A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Leistung max | 167W |
Energie wechseln | 55µJ (on), 100µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 23nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 6ns/40ns |
Testbedingung | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 46ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGB30N6S2D Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FGB30N6S2D-FT |
SGS10N60RUFTU
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290FH29C2XN
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5SGXMA5K1F35C2N
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XCV150-5BG256I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40E2SG
Intel