Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FJ3P02100L
Herstellerteilenummer | FJ3P02100L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJ3P02100L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJ3P02100L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 3-PMCP |
Paket / fall | 3-SMD, Non-Standard |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJ3P02100L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJ3P02100L-FT |
2SK2848
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2SK2943
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2SK3003
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2SK3004
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FKI06051
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FKI06190
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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