Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJN3315RTA
Herstellerteilenummer | FJN3315RTA |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FJN3315RTA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJN3315RTA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN3315RTA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJN3315RTA-FT |
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
FJN3312RBU
ON Semiconductor
FJN3313RBU
ON Semiconductor
FJN3314RBU
ON Semiconductor
FJN3315RBU
ON Semiconductor
FJN4301RBU
ON Semiconductor
FJN4302RBU
ON Semiconductor
FJN4303RBU
ON Semiconductor
FJN4304RBU
ON Semiconductor