Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJN3315RTA
Herstellerteilenummer | FJN3315RTA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJN3315RTA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJN3315RTA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN3315RTA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJN3315RTA-FT |
FJN3310RBU
ON Semiconductor
FJN3311RBU
ON Semiconductor
FJN3312RBU
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FJN3313RBU
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FJN3315RBU
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FJN4301RBU
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FJN4303RBU
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A3P015-2QNG68
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XA2S100E-6TQ144Q
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LCMXO640C-3TN144C
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A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel