Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJN4310RBU
Herstellerteilenummer | FJN4310RBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJN4310RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJN4310RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN4310RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJN4310RBU-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
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XC3S500E-5CPG132C
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ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation