Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS4211RBU
Herstellerteilenummer | FJNS4211RBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS4211RBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS4211RBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4211RBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS4211RBU-FT |
PDTC123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
Nexperia USA Inc.
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
EP20K160ETC144-3N
Intel
LCMXO2280E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP4SGX180KF40I3N
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H1F35C2N
Intel