Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS4212RTA
Herstellerteilenummer | FJNS4212RTA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS4212RTA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS4212RTA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4212RTA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS4212RTA-FT |
PDTD123ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTD143ETR
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PDTD143XTR
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PDTA114TT,215
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PDTD123TT,215
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PDTB123YT,215
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PBRN113ET,215
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PBRN113ZT,215
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PBRN123YT,215
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PBRP123YT,215
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