Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJNS4213RTA
Herstellerteilenummer | FJNS4213RTA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FJNS4213RTA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJNS4213RTA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Supplier Device Package | TO-92S |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJNS4213RTA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJNS4213RTA-FT |
PDTD143XTR
Nexperia USA Inc.
PDTA114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTD123TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ET,215
Nexperia USA Inc.
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.
PBRN123YT,215
Nexperia USA Inc.
PBRP123YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA113ZT,215
Nexperia USA Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-3HT176I
Xilinx Inc.
EP4CE55F23C7N
Intel
5SGXMA4K3F40C2LN
Intel
10AX032H3F34I2SG
Intel
10M08SCE144A7G
Intel
5SGXMA3K3F35C2LN
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.