Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / FJX3012RTF
Herstellerteilenummer | FJX3012RTF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FJX3012RTF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FJX3012RTF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 40V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Supplier Device Package | SC-70 (SOT323) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJX3012RTF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FJX3012RTF-FT |
SMMUN2216LT3G
ON Semiconductor
NSVMMUN2132LT1G
ON Semiconductor
SMMUN2213LT3G
ON Semiconductor
SMUN2214T3G
ON Semiconductor
MMUN2236LT1G
ON Semiconductor
MUN2111T1G
ON Semiconductor
MUN2140T1G
ON Semiconductor
MUN2232T1G
ON Semiconductor
MUN2237T1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2113LT3G
ON Semiconductor