Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / FODM2701R2V
Herstellerteilenummer | FODM2701R2V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FODM2701R2V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FODM2701R2V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 3750Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 50% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 300% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 40V |
Strom - Ausgang / Kanal | 80mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.4V (Max) |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 50mA |
Vce-Sättigung (max.) | 300mV |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 4-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FODM2701R2V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FODM2701R2V-FT |
MOC212R1M
ON Semiconductor
MOC212R1VM
ON Semiconductor
MOC212R2VM
ON Semiconductor
MOC212VM
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MOC213R1M
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MOC215M
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EPF6016ATC144-2
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XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG144I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43I2
Intel
M1A3P600-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN484I
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5CGXFC7D6F31I7N
Intel
10M02SCM153C8G
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EPF10K100ARC240-2
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