Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FP150R07N3E4B11BOSA1
Herstellerteilenummer | FP150R07N3E4B11BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FP150R07N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FP150R07N3E4B11BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 650V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150A |
Leistung max | 430W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP150R07N3E4B11BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FP150R07N3E4B11BOSA1-FT |
FP25R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4PBPSA1
Infineon Technologies
DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
BSM50GP120BOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
GHIS040A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A1
Global Power Technologies Group
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel