Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / FP35R12KT4B11BOSA1
Herstellerteilenummer | FP35R12KT4B11BOSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FP35R12KT4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FP35R12KT4B11BOSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 35A |
Leistung max | 210W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | Module |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP35R12KT4B11BOSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FP35R12KT4B11BOSA1-FT |
GHIS060A060S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS040A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A060S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS060A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A1
Global Power Technologies Group
GHIS080A120S-A2
Global Power Technologies Group
GHIS030A120S-A1
Global Power Technologies Group
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation